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MT29F2G16ABBEAH4:E 零件图片(仅供参考)

MT29F2G16ABBEAH4:E
Micron 订单到达,马上发货

MT29F2G16ABBEAH4:E 规格参数

还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗高效、稳定的“心脏”吗?让MT29F2G16ABBEAH4:E来担当重任!这颗美光科技的2Gb并行NAND闪存芯片,能为您提供高达128M x 16位的海量非易失存储空间,确保您的重要程序代码、用户数据或系统日志安全驻留,永不丢失。

它采用高效的并行接口,让您的系统能够快速读写数据,显著提升整体响应速度。1.7V~1.95V的低电压工作范围,不仅让您的设计更节能,也兼容更广泛的电源方案。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装,帮助您轻松实现高密度的电路板布局,节省宝贵空间。无论是工业控制、网络设备还是需要可靠存储的传统消费电子,它都能让您的产品运行更高效、更稳定。

  • 型号:MT29F2G16ABBEAH4:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • MT29F2G16ABBEAH4:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F2G16ABBEAH4:E 基本参数:

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