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您正在寻找一颗能高效处理海量数据流的存储芯片吗？MT46V32M16BN-5B:C TR正是您理想的解决方案。这颗512Mb容量的DDR SDRAM，凭借200MHz的时钟频率和仅700ps的访问时间，能让您的系统轻松应对高速数据读写挑战，显著提升整体运行效率。

它采用2.5V~2.7V低电压供电和表面贴装设计，不仅节能，更能让您的PCB布局更紧凑。无论是用于需要稳定缓冲的通信设备，还是要求实时响应的工业控制系统，这颗芯片都能提供可靠、高效的并行数据支持，让您的产品设计如虎添翼。

• 型号:MT46V32M16BN-5B:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-5B:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。