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还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？MT29F2G08ABDHC:D TR正是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb并行NAND闪存，能为您提供稳定、非易失的数据存储方案，让您的设备在0°C至70°C的广泛温度范围内都能可靠运行，轻松应对工业控制、网络通信、消费电子等多种场景的数据承载需求。

其1.7V~1.95V的低电压特性有助于您设计出更节能的产品，而并联接口则确保了高效的数据读写速度。无论是存储程序代码、用户数据还是多媒体内容，它都能胜任。选择这颗经过市场验证的芯片，就是为您的项目选择了一份成熟的可靠性与高效的性能表现。

• 型号:MT29F2G08ABDHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G08ABDHC:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。