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还在寻找能让您的系统飞驰起来的存储解决方案吗？MT40A256M16GE-083E AAT:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR4 SDRAM芯片，拥有高达1.2GHz的时钟频率和256M x 16的并行架构，能轻松应对大数据量的高速读写需求，瞬间提升您的设备响应速度与数据处理能力。

它不仅仅追求速度，更注重稳定与适应力。其宽广的-40°C至105°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在工业控制、汽车电子、网络设备等苛刻环境中依然可靠运行。同时，1.14V~1.26V的低电压设计，帮助您高效管理功耗，实现性能与能效的完美平衡。选择它，就是为您的核心设计注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

• 型号:MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT40A256M16GE-083E AAT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。