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还在为您的嵌入式系统寻找一颗“大心脏”吗？MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的2Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达256M x 8位的海量非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的操作系统、丰富的应用程序以及持续增长的用户数据，告别存储空间不足的烦恼。

它采用高效的并联接口，确保数据读写流畅迅速。更令人安心的是，其坚固的工业级基因（-40°C ~ 85°C工作温度）与宽广的低电压（1.7V~1.95V）适应能力，让您的产品无论面对严寒酷暑或是波动的供电环境，都能保持数据存储的绝对稳定与可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份持久、高效且值得信赖的记忆保障。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。