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还在为设备的数据处理瓶颈而烦恼吗？MT53E256M32D2DS-046 AUT:B就是您期待的解决方案。这颗来自美光科技的8Gb Mobile LPDDR4 DRAM芯片，能以高达2.133GHz的速度疾速响应，为您的高端移动设备、工业计算平台或嵌入式系统注入强劲的数据吞吐能力，让复杂应用运行如飞。

它不仅仅追求速度，更注重能效平衡。0.6V/1.1V的低电压设计，显著降低了系统整体功耗，让您的设备在提供顶级性能的同时，也能拥有令人羡慕的续航表现。其宽广的-40°C ~ 125°C工作温度范围，确保了在各种极端环境下的稳定可靠，让您轻松应对严苛挑战。选择它，就是选择了一个高效、稳定且经过验证的性能核心。

• 型号:MT53E256M32D2DS-046 AUT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E256M32D2DS-046 AUT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。