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您正在寻找一颗能扛起数据存储重担、让系统设计更省心的核心芯片吗？MT29F2G08ABAEAH4-E:E正是您理想的伙伴。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，拥有256M x 8的经典结构，能为您高效存储固件、系统参数或用户数据，其非易失特性确保信息在断电后毫发无损。

它采用2.7V~3.6V宽电压设计，让您的电源方案更加灵活；0°C~70°C的工作温度范围，则能轻松应对大多数常规及工业环境挑战。表面贴装形式极大简化了您的生产流程。选择它，就是选择了一个经过长期验证、稳定可靠的存储基石，让您能更专注于产品核心功能的创新与优化。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-E:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-E:E，Micron（美光）产品一站式供应商。