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还在为嵌入式系统的数据瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8BN-6:F为您打开高效运算的大门！这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，能以高达167MHz的速度并行处理数据，访问时间低至700ps，显著提升系统的实时响应能力和多任务处理流畅度。

它采用经典的64M x 8架构和2.5V标准电压，兼容性极广，能轻松集成到您的工业控制、网络通信或消费电子设计中。其表面贴装的60-TFBGA封装节省空间，坚固可靠，让您的产品设计更紧凑，性能更稳定。选择它，就是为您的设备装备了一颗强劲而可靠的数据心脏。

• 型号:MT46V64M8BN-6:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6:F，Micron（美光）产品一站式供应商。