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MT29F256G08CKCABH2-12:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
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MT29F256G08CKCABH2-12:A TR 规格参数

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗?MT29F256G08CKCABH2-12:A TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存,采用高效的并联接口,能以83MHz的时钟频率迅猛工作,让您的设备实现高速数据读写,轻松应对实时数据记录、大文件缓存等苛刻任务。

它能在2.7V~3.6V的宽电压下稳定运行,并适应0°C至70°C的环境温度,为您在各种应用场景中提供坚实的可靠性保障。无论是升级现有产品还是开发新一代设备,选择它都能让您高效集成,快速上市,赢得市场先机。

  • 制造商产品型号:MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Gb(32G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:83MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:100-TBGA
  • MT29F256G08CKCABH2-12:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F256G08CKCABH2-12:A TR 基本参数:

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