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还在寻找能让您的设备“大脑”更聪慧、“记忆”更强大的存储解决方案吗？MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R正是您期待的答案。这颗美光科技的256Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达32GB的海量非易失存储空间，让您的产品轻松容纳海量应用、高清媒体与复杂数据。

它采用高效的并联接口与宽电压（2.5V-3.6V）设计，确保高速、稳定的数据读写，同时兼顾优异的能效。无论是消费电子还是工业应用，它都能让您的设备运行更流畅、响应更迅捷，显著提升终端用户体验。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL WAFER
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R，Micron（美光）产品一站式供应商。