我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Tb并行NAND闪存芯片，能以333MHz的高速时钟频率处理数据，让您的设备实现海量信息的瞬间存取与流畅运行。

它采用先进的132-VBGA封装，支持表面贴装，易于集成。宽电压（2.5V~3.6V）供电与工业级工作温度范围（0°C~70°C），确保它在各种严苛环境下稳定工作。无论是用于加速您的服务器存储阵列，还是提升消费电子产品的多媒体体验，它都能让您的设计轻松应对数据洪流，实现性能与效率的双重飞跃。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。