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MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR 零件图片(仅供参考)

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
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MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR 规格参数

还在寻找一颗能兼顾大容量与高集成度的存储核心吗?MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR正是您理想的答案。这颗来自美光科技的1Tb TLC NAND闪存芯片,采用先进的128Gx8架构和精巧的VBGA QDP封装,能轻松为您的嵌入式系统、数据采集设备或高端消费电子产品注入海量存储空间,让您在设计时无需在性能与体积间艰难取舍。

它能让您的设备高效地处理并保存海量数据,无论是持续写入的日志文件、高分辨率的媒体内容还是复杂的应用程序代码,都能获得稳定可靠的存储支持。选择它,就是为您的产品选择了一颗经过市场验证的、成熟稳定的“数据心脏”,助您轻松构建高性能、高可靠性的终端设备,赢得市场先机。

  • 型号:MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Tb
  • 存储器组织:128G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR 基本参数:

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