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还在为嵌入式系统的代码存储寻找一个高效、可靠的解决方案吗？M29W400DB55N6E就是您理想的伙伴。这颗美光科技的4Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的极速访问时间，让您的处理器瞬间读取指令或数据，显著提升系统响应效率。其灵活的x8或x16数据总线宽度，让您能轻松匹配不同的微控制器接口，简化设计。

更令人放心的是，它拥有2.7V至3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这意味着无论您的设备身处何种严苛环境，它都能稳定守护您的重要程序与参数。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:M29W400DB55N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W400DB55N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。