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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗稳定可靠的“记忆核心”吗？MT47H64M8CB-37V:B就是您的高效答案。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的并行架构，能以高达267MHz的时钟频率迅猛工作，访问时间低至500ps，让您的应用轻松实现快速数据读写与流畅处理。

它工作在1.8V左右，功耗控制出色，并能在0°C至85°C的温度范围内稳定运行，非常适合要求长期可靠性的工业环境。无论是用于网络通信、自动化控制还是其他需要稳定高速存储的场合，它都能让您的设计性能扎实，运行无忧。

• 型号:MT47H64M8CB-37V:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-37V:B，Micron（美光）产品一站式供应商。