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您正在寻找一颗能扛起系统数据存储重任的“老将”吗？MT29F1G08ABBDAHC:D就是您值得信赖的伙伴。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，采用经典的128M x 8架构，为您提供稳定、高效的存储解决方案，轻松应对固件、配置参数及用户数据的存储需求。

其1.7V~1.95V的低电压工作范围，显著优化了系统功耗，让您的产品设计更节能。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，则为您节省宝贵的电路板空间，实现更高效、更小巧的布局。选择它，就是为您的成熟应用注入一颗历经考验、性能可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F1G08ABBDAHC:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABBDAHC:D，Micron（美光）产品一站式供应商。