我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT44K32M18RB-125E:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的设计面临数据吞吐的瓶颈时，MT44K32M18RB-125E:A TR就是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，能以高达800MHz的速度运行，配合10ns的快速访问时间，专门为需要瞬间处理海量数据的应用而优化。它让您的系统核心不再等待，指令执行与数据交换流畅无比。

其1.28V至1.42V的低电压供电和0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在追求高性能的同时，也能实现出色的能效比与环境适应性。无论是嵌入到通信基站、工业控制器还是高端显示设备中，它都能提供稳定可靠的高速数据缓冲服务，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的性能表现脱颖而出。

• 型号:MT44K32M18RB-125E:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:10 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K32M18RB-125E:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。