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您是否正在寻找一颗能大幅提升系统数据吞吐能力的“性能加速器”？MT49H8M36SJ-TI:B正是您的理想之选。这颗288Mb并行DRAM，采用高效的8M x 36位宽架构，能轻松应对海量数据的并行读写需求，让您的设备在处理复杂任务时响应如飞，彻底告别数据拥堵的烦恼。

它基于成熟的DRAM技术，工作电压范围宽（1.7V~1.9V），功耗控制出色，同时具备0°C至95°C的工业级工作温度范围，确保在各种严苛环境下都能稳定运行。其表面贴装的144-TFBGA封装形式，更为您节省宝贵的电路板空间，让设计更紧凑、更高效。选择它，就是为您的项目注入一颗强劲、可靠的数据引擎。

• 型号:MT49H8M36SJ-TI:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-TI:B，Micron（美光）产品一站式供应商。