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还在为成熟产品线寻找稳定可靠的存储核心吗？MT29F1G08ABBDAH4:D正是您的理想之选。这颗美光出品的1Gb（128M x 8）并行接口NAND闪存，采用先进的63-VFBGA封装，能以1.7V至1.95V的低电压高效运行，为您节省系统功耗，同时其表面贴装设计让您的PCB布局更紧凑、生产更高效。

它专为需要稳定数据存储的广泛应用而设计，无论是工业控制器的固件、网络设备的配置信息，还是消费电子产品的用户数据，它都能提供非易失的可靠保存。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场长期验证的稳定性与兼容性，让您能更专注于核心功能的开发与创新，而无须在基础存储环节担忧。

• 型号:MT29F1G08ABBDAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBDAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。