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还在为系统数据吞吐量不足而烦恼吗？让MT49H32M18CSJ-18:B为您带来改变！这颗美光576Mb并行DRAM芯片，能以高达533MHz的时钟频率疾速响应，15ns的快速访问时间让数据读取毫无延迟，轻松满足您对高速、实时数据处理的严苛要求。

它采用高效的并联接口和1.7V~1.9V低电压运行，在为您提供强大32M x 18位数据带宽的同时，显著优化系统能效。其坚固的144-TFBGA表面贴装封装和宽温工作特性，确保它能在各种复杂的嵌入式环境中稳定运行，是您构建高性能网络、通信及工业控制设备的理想存储核心。

• 型号:MT49H32M18CSJ-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。