我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛重任、稳定可靠的存储芯片吗？MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR正是为您而来。这颗美光科技的1Gb并行NAND Flash芯片，能以128M x 8的架构为您高效管理海量数据，其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）特性，让您的产品即使在严苛的工业或车载环境中也能稳定运行，轻松应对各种挑战。

它采用紧凑的63-VFBGA封装，非常适合空间优化的表面贴装设计，帮助您提升产品集成度。无论是存储系统固件、记录关键日志，还是处理多媒体信息，这颗经典的非易失性闪存芯片都能成为您设备中值得信赖的数据基石，让您的设计更高效、更省心。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。