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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案吗？MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的64Gb NAND闪存芯片，采用高效的并行接口，能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐动力，轻松应对海量数据实时读写的挑战。

它拥有8G x 8的存储结构，电压适应范围宽（2.7V~3.6V），并能在0°C至70°C的环境下稳定工作。这意味着无论是复杂的工业控制系统、高性能的网络通信设备，还是需要持续可靠存储的嵌入式应用，它都能完美融入，让您的设计更高效、更稳健。选择它，就是为您的产品核心注入一份可靠的存储保障。

• 型号:MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。