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还在寻找一颗能同时兼顾大容量存储与高速缓存的芯片吗？MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR正是您的理想答案。它将4Gb NAND闪存与2G移动LPDRAM完美集成于一颗芯片内，让您的设备既能海量存储关键数据，又能通过高速RAM实现流畅的即时运算，彻底告别存储瓶颈。

这颗芯片专为追求高效与可靠的设计而生。其1.7V~1.95V的低电压设计显著优化了系统功耗，而-25°C至85°C的宽工作温度范围则确保了它在各种严苛环境下稳定运行。采用137-VFBGA封装，体积小巧，非常适合空间紧凑的嵌入式应用，让您的产品设计更灵活、性能更出众。

• 型号:MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:137-VFBGA（13x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDRAM）
• 存储器组织:512M x 8（NAND），64M x 32（LPDRAM）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:208 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:137-VFBGA
• 供应商器件封装:137-VFBGA（13x10.5）
• MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。