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您正在寻找一颗能为您的嵌入式设备提供坚实、可靠数据存储核心的闪存芯片吗？MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR正是这样一款经典之作。它拥有1Gb（128M x 8）的存储容量，采用成熟的并行NAND接口，让您的系统能够高效、稳定地存取海量数据，无论是程序代码、用户配置还是运行日志，都能得到安全庇护。

这颗芯片的强大之处在于其工业级的韧性。它能在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作，并适应2.7V至3.6V的宽电压供电，轻松应对野外、车载或工业现场的严苛环境挑战。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更为您在有限板卡空间内实现高密度设计提供了可能。选择它，就是为您的产品选择了一份历经验证的存储可靠性。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4-ITE:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。