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还在为嵌入式系统寻找一颗可靠的数据存储核心吗？MT29F1G08ABADAH4-E:D正是您的高效解决方案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，采用128M x 8的架构，能为您提供快速、稳定的非易失性存储空间，轻松应对代码存储、数据记录等关键任务。

它拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工作温度范围，让您的产品在各种环境下都能稳定运行。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更能帮助您优化电路板设计，节省空间。选择它，就是为您的设备选择了一份经久耐用的数据保障。

• 型号:MT29F1G08ABADAH4-E:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABADAH4-E:D，Micron（美光）产品一站式供应商。