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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR闪存芯片正是您的理想答案。这颗美光出品的128Gb NAND闪存，采用先进的并联接口与100MHz时钟频率，能轻松驾驭高速数据流，让您的设备实现瞬间响应与流畅运行，彻底告别数据瓶颈。

它为您带来的，是前所未有的存储自由度。高达16G x 8的存储架构，为您海量的程序代码、媒体文件或日志数据提供了宽敞的“家”。其宽电压（2.7V-3.6V）特性和0°C至70°C的工业级温度适应能力，确保了在各种复杂应用环境中稳定如一的性能表现，极大提升了终端产品的耐用性和可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一颗经久耐用的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。