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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR就是您的高效答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存，采用并联接口，时钟频率高达166MHz，能轻松应对高速数据读写挑战，让您的设备运行如飞。

它为您提供了高达16G x 8的庞大存储空间，足以容纳复杂的操作系统、应用程序和用户数据。其2.7V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种供电环境和气候条件下都能稳定可靠地工作，极大提升了您终端产品的适应性和耐用性。选择它，就是为您的设计选择了一份从容与保障。

• 型号:MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。