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还在寻找能让您的设备存储性能脱颖而出的核心部件吗？MT29E512G08CUCDBJ6-6:D正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能以高达167MHz的速度处理数据，让您轻松应对大数据读写挑战，瞬间提升系统的响应效率。

它拥有64G x 8的庞大存储架构，为您的高清视频存储、大型数据库或复杂应用程序提供海量空间。其2.7V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工业级工作温度范围，确保了在各种环境下都能稳定运行，极大增强了您产品的可靠性和适应性。选择它，就是为您的设计注入强劲、可靠的数据驱动力。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CUCDBJ6-6:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
• MT29E512G08CUCDBJ6-6:D，Micron（美光）产品一站式供应商。