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您正在为下一代汽车电子系统寻找一颗既强大又可靠的“记忆核心”吗？MT28EW01GABA1HJS-0AAT正是您期待的答案。这颗1Gb容量的并行NOR闪存芯片，专为严苛的汽车环境打造，能让您的系统在极寒或酷热中稳定运行，确保关键代码与数据的安全无虞。

它为您提供高达105ns的快速数据访问能力，显著加速系统启动和程序执行。同时，其灵活的x8或x16数据总线配置以及高效的写入性能，让您能轻松应对复杂的固件存储和实时数据记录需求，为ADAS、数字仪表盘等应用注入高效可靠的存储动力。

• 型号:MT28EW01GABA1HJS-0AAT
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:105 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• MT28EW01GABA1HJS-0AAT，Micron（美光）产品一站式供应商。