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还在寻找一颗能扛重任、稳定如一的存储核心吗？M29W800DB70N6E正是您可靠的答案。这颗由美光出品的8Mb并行NOR闪存芯片，能为您高效存储至关重要的启动代码、应用程序或系统参数，确保设备每次上电都准确无误、快速响应。

它凭借70ns的高速访问时间和宽电压工作范围（2.7V-3.6V），让您的系统在复杂供电环境下也能实现流畅的数据读写。其工业级宽温（-40°C至85°C）特性和表面贴装封装，更让您能轻松将其集成到要求严苛的汽车电子、工业控制或通信设备中，为产品的长期稳定运行奠定坚实基础。

• 型号:M29W800DB70N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W800DB70N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。