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还在寻找一颗能让您的嵌入式设计既快又稳的存储核心吗？NAND01GW3B2BZA6E就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存芯片，能以高达30ns的极速完成数据访问与写入，让您的设备告别卡顿，实现瞬间响应。

它为您提供128M x 8的可靠存储空间，并拥有从2.7V到3.6V的宽电压适应能力与-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这意味着无论是严苛的工业环境还是复杂的消费电子应用，它都能稳定运行，让您的产品设计无后顾之忧。其紧凑的63-TFBGA表面贴装封装，更能帮助您轻松实现高密度板卡布局，打造出更小巧、更高效的产品。

• 型号:NAND01GW3B2BZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND01GW3B2BZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。