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当您的设计需要一颗“大脑”来快速、可靠地存储和调用核心程序时，M29W400DT55ZE6E正是您期待的解决方案。这颗由美光科技出品的4Mb并行NOR闪存芯片，能以高达55ns的极速访问时间，让您的系统实现瞬间启动与流畅运行，彻底告别等待。

它为您提供了灵活的数据组织方式（512K x 8或256K x 16）和宽广的电压支持（2.7V~3.6V），轻松适应各种复杂的嵌入式环境。无论是应对-40°C的严寒还是85°C的高温，它都能稳定工作，确保您的工业控制、汽车电子或通信设备在极端条件下依然表现卓越。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠与高效。

• 型号:M29W400DT55ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
• M29W400DT55ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。