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还在为嵌入式系统寻找一颗既快速又可靠的“记忆核心”吗？MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR正是您期待的答案。这颗1Gb容量的并行NOR闪存，能为您的高速应用提供坚实的存储基础，无论是128M x 8位还是64M x 16位的灵活配置，都能让您的系统设计游刃有余。

它以高达95ns的快速访问时间和60ns的写入周期，确保您的代码能够被瞬间读取和执行，极大提升系统响应效率。宽广的2.7V~3.6V工作电压和-40°C~85°C的工业级温度范围，让您轻松应对各种严苛环境挑战，确保数据存储的万无一失。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心的双重保障。

• 型号:MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-LBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8，64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:60ns
• 访问时间:95 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-LBGA（11x13）
• MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。