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还在寻找一颗能扛重任、快速响应的核心存储芯片吗？M29W400DT45ZE6E正是您期待的解决方案。这颗美光4Mb并行NOR闪存，能以高达45ns的极速访问时间，让您的系统指令获取与数据读写毫无延迟，显著提升整体运行效率。

它专为严苛环境打造，支持-40°C到85°C的工业级工作温度，并拥有2.7V-3.6V的宽电压适应能力，确保在各类复杂应用场景中稳定可靠。无论是存储启动代码、系统固件还是关键参数，其非易失特性都能为您提供断电无忧的数据安全保障。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的高性能存储基石。

• 型号:M29W400DT45ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x9）
• M29W400DT45ZE6E，Micron（美光）产品一站式供应商。