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您是否正在寻找一颗能扛重任、让设计更省心的核心存储芯片？MT29F2G08ABBEAHC-IT:E正是为您而来。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，拥有256M x 8的存储容量，能轻松充当您设备的数据仓库，无论是程序代码、用户配置还是日志文件，都能得到安全、高效的存储。

它采用先进的1.7V~1.95V低电压工作设计，显著降低系统功耗，延长电池寿命。其坚固的工业级内核，支持-40°C至85°C的宽温工作范围，确保您的产品在严苛环境下依然稳定可靠。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您能轻松实现高密度的PCB布局，为产品小型化赋能。

• 型号:MT29F2G08ABBEAHC-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G08ABBEAHC-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。