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还在为嵌入式系统的代码存储寻找快速、可靠的解决方案吗？让M29W400DB55N6F TR来为您分忧。这颗由美光科技打造的4Mb并行NOR闪存芯片，能以高达55ns的访问速度，让您的系统实现快速启动和高效运行。

它为您提供了灵活的存储组织方式（512K x 8位或256K x 16位），并能在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，轻松适应各种供电环境。其工业级的工作温度范围（-40°C ~ 85°C）和表面贴装封装，更能确保您的产品在严苛条件下依然保持卓越可靠性，是工业控制、通信设备等应用的理想存储核心。

• 型号:M29W400DB55N6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29W400DB55N6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。