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还在寻找一颗能让您的系统“秒启”、运行如飞的可靠存储核心吗？M29W128GL70ZS3E正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，拥有高达70ns的极速访问时间，让您的应用程序代码能够被瞬间读取和执行，大幅提升系统响应效率与整体性能。

它为您提供灵活的组织结构（16M x 8或8M x 16），并支持宽电压（2.7V-3.6V）和超宽温度（-40°C至125°C）工作，让您的设计从容适应工业、汽车等严苛环境。其非易失特性确保数据安全，表面贴装的64-LBGA封装则助力实现紧凑高效的PCB布局。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、稳定、值得信赖的数据基石。

• 型号:M29W128GL70ZS3E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-FBGA（11x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-LBGA
• 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
• M29W128GL70ZS3E，Micron（美光）产品一站式供应商。