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还在寻找一颗能扛得住复杂环境、读写又迅捷的存储核心吗？NAND512R3A2DZA6E就是您的答案。这颗512Mb并行NAND闪存芯片，能轻松为您的高速设备提供稳定、非易失的数据存储空间，无论是程序代码还是用户数据，都能得到安全庇护。

它能让您的设计事半功倍。1.7V~1.95V的低电压需求，帮助您有效降低系统功耗；高达50ns的快速访问与写入时间，确保了数据交换的流畅无阻，大幅提升整体响应效率。其坚固的63-TFBGA封装和宽达-40°C至85°C的工作温度范围，更是让它能从容入驻从消费电子到工业控制的各类应用，可靠性毋庸置疑。

• 型号:NAND512R3A2DZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND512R3A2DZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。