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还在为关键系统的代码存储寻找一个既快速又可靠的解决方案吗？M29W128GH70ZA3E正是您期待的答案。这颗128Mb并行NOR闪存芯片，能以高达70ns的访问速度响应您的处理器，让系统运行如飞；其2.7V~3.6V的宽电压范围和-40°C至125°C的极端工作温度，确保它在各种严苛环境下都能稳定工作，守护您的重要数据万无一失。

无论是存储启动代码、应用程序还是配置参数，它都能轻松胜任。其非易失的特性意味着断电后数据依然完好，而并联接口则提供了高效的数据吞吐能力。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备选择了一份历经验证的卓越性能与安心保障。

• 型号:M29W128GH70ZA3E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M29W128GH70ZA3E，Micron（美光）产品一站式供应商。