我们为全球各个行业提供Micron（美光） NAND128W3A2BN6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统的数据存储寻找一颗‘全能心脏’吗？NAND128W3A2BN6E就是您的理想答案。这颗来自美光科技的128Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的迅捷速度响应您的读写指令，让您的设备数据处理效率倍增。

它专为严苛环境而生，宽达2.7V至3.6V的工作电压和-40°C至85°C的宽广温度范围，让它在工业控制、车载电子、网络通信等场景中稳如磐石。无论是存储关键程序代码，还是记录运行日志，它都能为您提供可靠的非易失性存储保障。其经典的48-TSOP封装，更让您能轻松集成，高效完成产品设计，加速项目落地。

• 型号:NAND128W3A2BN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND128W3A2BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。