我们为全球各个行业提供Micron（美光） M29F800DB55N6E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统寻找一颗稳定可靠的“记忆大脑”吗？M29F800DB55N6E就是您理想的解决方案。这颗由美光科技出品的8Mb并行NOR闪存芯片，能以55ns的快速访问时间，让您的处理器高效读取存储的程序代码与关键数据，显著提升系统响应速度。

它为您提供了灵活的组织结构（1M x 8 或 512K x 16），并具备宽电压（4.5V-5.5V）和宽温（-40°C至85°C）工作能力，让您的产品设计更能适应复杂的工业环境。其表面贴装的48-TFSOP封装，帮助您节省宝贵的PCB空间，实现更紧凑的硬件布局。选择它，就是为您的工业控制、通信设备或汽车电子应用，选择了一份历经验证的稳定与高效。

• 型号:M29F800DB55N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F800DB55N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。