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更重要的是，它懂得如何“聪明”地工作。1.283V~1.45V的低电压供电设计，在释放强劲性能的同时，为您有效节约每一分能源，延长电池续航或降低系统散热压力。其坚固的78-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种严苛环境下都能稳定运行，让您的产品设计更可靠，生命周期更长久。选择它，就是为您的项目选择了一份高效与安稳并重的强大保障。

• 型号:MT41K1G8TRF-107:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• MT41K1G8TRF-107:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。