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还在为经典设备寻找可靠的数据存储核心吗？M29F400BT70M6E就是您理想的答案。这颗由美光科技出品的4Mb并行NOR闪存，能以70ns的快速访问时间，为您高效存储程序代码、系统参数或关键数据，确保设备响应迅速、运行流畅。

它拥有512K x 8位或256K x 16位的灵活组织架构，并支持宽电压（4.5V-5.5V）和宽温（-40°C至85°C）工作，让您的产品轻松适应工业、通信等复杂环境。采用44-SOIC表面贴装封装，便于您集成到现有设计中，是实现产品稳定升级与长期维护的得力伙伴。

• 型号:M29F400BT70M6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:44-SO
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:44-SOIC（0.496，12.60mm 宽）
• 供应商器件封装:44-SO
• M29F400BT70M6E，Micron（美光）产品一站式供应商。