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您正在为项目寻找一颗可靠的数据“记忆核心”吗？M29F200FB55N3F2 TR就是您的高效答案。这颗由美光科技出品的2Mb并行NOR闪存，能以55ns的极速访问时间，让您的微处理器瞬间读取存储的程序代码或关键数据，大幅提升系统响应效率。

它采用灵活的x8/x16位宽配置，轻松对接多种主流处理器。宽电压（4.5V-5.5V）与超宽温（-40°C至125°C）支持，让它能在工业控制、汽车电子、通信设备等苛刻环境中稳定运行，确保您的数据在任何情况下都安全无虞。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的可靠性与高性能。

• 型号:M29F200FB55N3F2 TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:2Mb
• 存储器组织:256K x 8，128K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29F200FB55N3F2 TR，Micron（美光）产品一站式供应商。