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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？MT47H512M4THN-37E:E TR正是为您破解这一难题的利器。这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM，能以高达267MHz的速度运行，配合并联接口，为您的高速处理器提供充沛、流畅的数据流，让您的设备处理任务时如行云流水，毫无迟滞。

它能让您的工业控制主板实时响应更迅速，让网络通信设备的缓存交换更高效。1.8V左右的核心工作电压，在提供强大性能的同时兼顾了能效，特别适合对功耗和散热有要求的嵌入式场景。其坚固的63-FBGA封装和宽温特性，确保它能在各种挑战性环境中稳定工作，是您构建可靠耐用设备的理想内存伙伴。

• 型号:MT47H512M4THN-37E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:500 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-37E:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。