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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的代码存储芯片吗？M29F200FB55N3E2就是您理想的答案。这颗由美光科技出品的2Mb并行NOR闪存，能以55ns的高速让您的处理器快速访问程序代码或关键数据，显著提升系统响应效率。其非易失特性确保断电后信息不丢失，是存储启动代码、应用程序或配置参数的可靠基石。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至125°C的广阔工作温度范围和4.5V~5.5V的宽电压供电，让您的设备无论是在炎热的车间还是寒冷的户外，都能稳定运行。表面贴装的48-TFSOP封装节省空间，便于集成。选择它，就是为您的工业控制、汽车电子或通信设备选择了一份经久耐用的存储保障，让您的设计更稳健、更高效。

• 型号:M29F200FB55N3E2
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:2Mb
• 存储器组织:256K x 8，128K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• M29F200FB55N3E2，Micron（美光）产品一站式供应商。