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您正在寻找一颗能瞬间响应、高效处理海量数据的存储核心吗？MT46V128M4P-5B:F正是您理想的解决方案。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM芯片，采用128M x 4的并行架构，能以高达200MHz的速度流畅运行，确保您的系统指令和数据交换毫无延迟。

它拥有仅700ps的极速访问时间和15ns的快速写周期，让您轻松应对工业控制、网络设备等场景下的实时数据吞吐需求。其2.5V~2.7V的低电压设计，在提供强劲性能的同时兼顾能效。选择它，就是为您的设备装备了一个高效、可靠的数据引擎，让复杂应用运行得更稳定、更流畅。

• 制造商产品型号：MT46V128M4P-5B:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
• MT46V128M4P-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。