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想象一下，您的设备数据处理速度提升一个量级是什么体验？MT46V32M16BN-5B:F正是为您实现这一飞跃的关键。这颗512Mb DDR SDRAM芯片，凭借其32M x 16的并行架构和200MHz的高时钟频率，能为您的高速应用提供充沛的数据带宽，让海量信息得以瞬间调度，彻底告别卡顿与延迟。

它采用先进的2.5V~2.7V低电压供电和表面贴装设计，不仅功耗控制出色，更能让您的PCB布局更加紧凑高效。高达700ps的极速访问时间和稳定的宽温工作特性，确保您的产品无论是在通信基站、工业控制还是高端消费电子领域，都能表现出持久可靠的卓越性能，让您的设计脱颖而出。

• 型号:MT46V32M16BN-5B:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。