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还在为嵌入式系统的代码存储与执行效率而烦恼吗？让JS28F256P30BFE为您带来改变。这颗来自美光科技的256Mbit NOR闪存芯片，拥有16M x 16的存储结构，能以110ns的高速响应您的每一次访问请求，确保您的应用程序和操作系统内核得以闪电般加载与运行。

它采用1.7V至2V的低电压工作，有效降低系统功耗，同时其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，让您的设备无惧严寒酷暑，稳定如初。无论是工业控制、汽车电子还是高端消费设备，JS28F256P30BFE都能凭借其并联接口的简便性和56-TSOP封装的易用性，轻松集成到您的设计中，大幅提升产品的整体可靠性与性能表现。

• Micron美光半导体完整型号：JS28F256P30BFE
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
• 系列：StrataFlash
• 格式 - 存储器：闪存
• 存储器类型：FLASH - NOR
• 存储容量：256M（16M x 16）
• 速度：110ns
• 接口：并联
• 电压 - 电源：1.7 V ~ 2 V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C
• 封装/外壳：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装：56-TSOP（14x20）
• JS28F256P30BFE，Micron（美光）产品一站式供应商。