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还在为嵌入式系统寻找一个稳定、高效的“数据仓库”吗？MT29F2G16ABBEAHC:E TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能为您提供高达128M x 16位的非易失存储空间，让您轻松容纳复杂的程序代码、海量的用户数据或详尽的系统日志。

它采用1.7V~1.95V的低电压供电和63-VFBGA紧凑型封装，不仅节能高效，更能轻松集成到空间受限的现代电子设备中。其宽泛的工作温度范围（0°C ~ 70°C）确保了在各种环境下数据的稳定存取，无论是工业控制、医疗设备还是通信终端，它都能成为您产品中默默奉献、坚实可靠的记忆核心。

• 型号:MT29F2G16ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F2G16ABBEAHC:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。