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您正在寻找一颗能瞬间提升系统响应速度的“记忆核心”吗？MT46V64M8TG-6T L:F正是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借167MHz的时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能轻松驾驭高速数据读写任务，让您的设备告别延迟，体验行云流水般的操作快感。

它采用高效的并行接口和2.3V~2.7V的低电压设计，在为您提供强大数据吞吐能力的同时，还能有效节能降耗。无论是处理复杂的实时数据，还是缓存大量的流媒体信息，它都能稳定可靠地工作，让您的产品设计更高效，性能表现更出众。

• 型号:MT46V64M8TG-6T L:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V64M8TG-6T L:F，Micron（美光）产品一站式供应商。